漢民集團旗下晶圓代工廠漢磊及其轉投資嘉晶15日召開法人說明會，
漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，
今年是第三代化合物半導體應用起飛元年，將積極擴產因應強勁需求。
其中，
漢磊將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，
增加6吋碳化矽（SiC）產能達5～7倍，
氮化鎵（GaN）月產能明年倍增至2,000片。
嘉晶預計將投入5,000萬美元擴產，
將SiC基板產能擴增7～8倍，
GaN基板產能計畫提高2～2.5倍。
第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，
在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，
在半導體材料領域中，
第一代半導體是「矽」（Si），
第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），
第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。
寬能隙半導體中的「能隙」（Energy gap），
用白話的方式說明，
代表著「一個能量的差距」，
意即讓一個半導體「從絕緣到導電所需的最低能量」。
隨著 5G、電動車時代來臨，
科技產品對於高頻、高速運算、高速充電的需求上升，
矽與砷化鎵的溫度、頻率、功率已達極限，
難以提升電量和速度；
一旦操作溫度超過 100 度時，
前兩代產品更容易故障，
因此無法應用在更嚴苛的環境；
再加上全球開始重視碳排放問題，
因此高能效、低能耗的第三代半導體成為時代下的新寵兒。
【第三代半導體族群】
| 代號 | 公司 | 相關佈局 |
| 2330 | 台積電 | 納微、意法半導體等GaN晶片投片生產 |
| 2303 | 聯電 | 入股頎邦目標佈局該領域 |
| 3707 | 漢磊 | 將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，增加6吋碳化矽（SiC）產能達5～7倍，氮化鎵（GaN）月產能明年倍增至2000片 |
| 3016 | 嘉晶 | 預計將投入5000萬美元擴產，將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能計畫提高2～2.5倍 |
| 5483 | 中美晶 | 攜手宏捷科合作佈局矽基氮化鎵 |
| 6182 | 合晶 | 評估相關矽晶圓生產 |
| 6488 | 環球晶 | 積極跨入SiC晶圓生產並和GTAT簽長約 |
| 8028 | 昇陽半導體 | GaN、SiC晶圓再生與薄化 |
| 3105 | 穩懋 | 碳化矽基氮化鎵晶圓代工 |
| 3711 | 日月光投控 | 配合相關封測服務 |
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(109)金管投顧新字第022號
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